| 型号 | 封装 | 厂家 | 数量 | 咨询价格 | 在线订购 |
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TPCC8061-H,LQ(O |
8-VDFN 裸露焊盘 | Toshiba | 电话：0755-83217923 询价QQ：  |
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TPCC8061-H,LQ(O参数 产品类别：分立半导体产品-FET - 单 说明：MOSFET N-CH 30V 8A 8TSON-ADV 包装数量：3000 包装形式：带卷 (TR) PDF资料下载：  PDF文档PDF资料下载： PDF文档FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源极电压 (Vdss)：30V 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：8A 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：26 毫欧 @ 4A，10V 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.3V @ 100µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：11nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：630pF @ 10V 功率 - 最大值：15W 安装类型：表面贴装 |
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热门型号： Card EdgeESC61DRST-S273 固定式PE-92100 芯片电阻 - 表面RL3720WS-R15-F 按钮开关A22L-GY-12A-02A Card EdgeECA31DRMS 薄膜电容器B32529C125J289 芯片电阻 - 表面RR0510R-12R7-D 芯片电阻 - 表面RG1608N-9762-B-T1 Card EdgeGCM12DSEN-S13 嵌入式 - CPLISPLSI1032E-70LT |
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